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2002 Sep 02 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
Schottky barrier double diode BAT74V
CHARACTERISTICS
Tamb
=
25
°C unless otherwise specified.
Note
1. Pulse test: tp
=
300
μs; δ
=
0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Refer to SOT666 standard mounting conditions.
Soldering
The only recommended soldering method is reflow soldering.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
VF
continuous forward voltage
IF
=
0.1
mA
240
mV
IF
=
1
mA
320
mV
IF
=
10
mA
400
mV
IF
=
30
mA
500
mV
IF
=
100
mA; note
1; see Fig.2
800
mV
IR
reverse current
VR
=
25
V; note
1; see Fig.3
2
μA
Cd
diode capacitance
VR
=
1
V; f
=
1
MHz; see Fig.4
10
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
416
K/W
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